中国手机镜头用20年征服全球
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2021 十大科技趋势分别为：
以下为《2021 十大科技趋势》的扩展解读： 趋势一 以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体迎来应用大爆发 半导体产业发展到今天，主要建立在三代材料的基础上：兴起于 20 世纪 50 年代的基于硅（Si）、锗（Ge）的第一代半导体；兴起于 20 世纪 80 年代的以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体；以及兴起于 20 世纪末的以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体。目前，第一代半导体材料 Si 应用最为广泛，它构成了一切逻辑器件的基础，CPU、GPU 所提供的算力都离不开 Si 的功劳。 第二代半导体主要用于高频高速场景，例如手机中的射频电路。第三代半导体相比于前两代半导体具有更宽的禁带宽度，因此也称作宽禁带半导体。更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压、更快的开关频率下运行，因此第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，可以用作功率器件和射频器件，广泛应用于 5G 基站、新能源汽车、特高压、消费电子、航空航天、数据中心等领域。此外，较宽的禁带宽度使第三代半导体可用作制备短波长光电器件，例如可用于医疗消毒的紫外光源。 由于制造设备、制备工艺特别是材料成本上的劣势，多年来第三代半导体材料只是在小范围内应用。直至近几年这一局面才得以打破：一方面，在 5G、新能源汽车等新兴市场中，Si 基半导体的性能已无法完全满足需求，第三代半导体的性能优势被放大；另一方面，制备技术特别是大尺寸材料生长技术不断突破，SiC 和 GaN 两种材料均从 4 英寸换代到 6 英寸并已研发出 8 英寸样品，加之器件制备技术逐步提升，使得第三代半导体器件性能日益稳定且成本不断下降，性价比优势逐渐显现。 目前，第三代半导体已经出现在应用市场：一些新能源汽车在逆变器中应用 SiC 功率器件提升电能转换效率，进而提升续航里程；不在少数的电子消费厂商推出了 GaN 快速充电器，价格不贵，体积很小，一个快充头可以支撑手机、电脑等多设备快速充电。未来 5 年，除现有的电动汽车和消费电子外，预计工业充电、5G 高频器件以及可再生能源和储能领域的电源应用都将从第三代半导体的发展中受益，尤其是在高频高压应用中将竞争性取代原有的 Si 器件。 趋势二后“量子霸权”时代，量子纠错和实用优势成核心命题 2020 年为后“量子霸权”元年，世界对量子计算的投入持续上涨，技术和生态蓬勃发展。超导领军团队宣布了通往 1 百万比特的规划；其他平台也异彩纷呈。离子阱则通过系统集成和容错部件上有力演示，证明了和超导同台技艺的潜力。声子-超导混合比特也跻身业界采用的平台。如上潮流将在 2021 年继续涌动，多管齐下，奔向“后霸权”的两个里程碑：量子纠错和实用优势。 演示纠错的系统必须同时达到“多比特”、“高精度”和“高连接度”：至少几千个高质量、强关联的比特。量子比特数一直为大众关注重点；但只以比特数来衡量量子计算芯片的质量，好比“论画以形似”一样天真。“高精度”要求两比特的基本操作接近完美， “高连接度”要求比特以网格或更复杂的结构相互作用。 除了增量式进步外，2021 年有望见证在这些维度上突破性的创新。比如基于新型设计的超高精度超导比特和扬弃目前线性结构的可扩展的二维离子阱。超导的另一场扬弃也可能在 2021 年播下种子：低温电子学的成熟将使得庞大和昂贵的室温电子学开始走向末路。
实用优势的探索将继续以模拟物理为主流，借助模拟对错误的宽容。冷原子和量子煺火系统等模拟量子计算平台有望连同数字平台一起，继续产生鼓舞人心的进步。
透过商家精心、全面的服务，可以预见其背后庞大的市场需求。 另外，该商家还在文末提醒称，最近 GiHub 风控较严，20 颗以上需要分多天交付，以便显得真实合理。 据了解，这种代刷与微信刷量本质上相同，无论是人工刷还是机器刷，痕迹都很明显。例如，前段时间，一位名为占小狼的用户发表博客文章，指出了刷量项目的诸多不合理之处。 据他介绍，某天一个名为 Kui-Vue 的开源项目突然登上了 Github Trending 榜第一，一天涨了 1000 多个 Star 项目。
但仔细看这是一个个人项目，无大厂背景，Issue 和 Pr 特别少。另外，在线实例也没有什么亮点。于是便查看了一个 Star 它的用户，首先发现这些用户大部分为无头像用户。 （编辑：阿坝站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
